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　　BD半岛官网 app微导纳米深耕薄膜沉积设备领域，以ALD技术为核心不断实现技术突破。公司率先将ALD应用于光伏领域，产品矩阵包括ALD设备与PECVD设备，覆盖多家龙头电池片厂商，交付的无锡尚德整线%。半导体领域，公司研制出的高k栅氧层ALD设备已实现销售，取得28nm节点中国产ALD设备技术突破。公司三年营收增速皆超30%，ALD设备凭借技术壁垒实现高毛利，手握19.75亿元在手订单，助力业绩稳攀高峰。

　　综合比较PVD/RPD/CVD/ALD四大技术路径，物理沉积与化学沉积的主要区别在于：化学沉积的致密性与均匀性更优，精细度高，更适合沉积复杂结构；物理沉积适合平面结构，镀要求较低的膜层。ALD在超薄与复杂结构中体现不可替代性：

　　光伏：技术路径的选择最终归于平衡降本增效，ALD在超薄膜层如鱼得水，如TOPCon电池中的氧化铝钝化层与隧穿氧化层。

　　半导体：制程缩小趋势下，ALD必不可少。在制程进入28nm后，器件结构不断缩小且更为立体化，CVD与PVD难以胜任。

　　3）光伏领域：高效电池未来已来，公司设备有望乘风而起N型技术转化效率极限高，综合性能优，下游扩产潮打开设备市场增长空间。对公司产品线所在市场进行测算，预计23年市场空间可突破百亿元。

　　TOPCon电池：与PERC相比，公司设备价值量在TOPCon产线建设的投资比重上升至约36%。TOPCon领域国产ALD设备企业稀少，公司市占率高达70%，根据披露的销售合同推算2022年新签设备订单12亿元。

　　HJT/钙钛矿电池：PECVD设备在HJT产线%，ALD在HJT和钙钛矿电池领域有望扩展应用。

　　4）半导体领域：国产ALD拓荒者，期待拓展多样应用半导体ALD设备国产化率低，公司设备性能比肩国际同类厂商，有望实现国产替代，设备需求或迎来放量，预计23年ALD设备需求有望突破10亿。

　　逻辑芯片：高K材料ALD设备国产破局者，打破国外技术垄断；ALD在FinFET亦有应用。

　　存储芯片：新型存储器发展迅猛，公司ALD设备已应用于FeRAM电容介质层；传统存储器中由2D到3DNANDFlash堆叠层数增长，拉动ALD设备需求。

　　风险提示：市场需求下滑风险；新产品开发风险；产品验证与交付进度不及预期；产品毛利率波动风险；测算存在主观性，仅供参考。