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　　1本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到网站仔细阅读年度报告全文。

　　报告期内，不存在对公司生产经营产生实质性影响的特别重大风险。公司已在报告中详细描述可能存在的相关风险，敬请查阅“第三节管理层讨论与分析：四、风险因素”部分内容。

　　3本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

　　4立信会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。

　　经第二届董事会第九次会议决议，公司2023年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本为基数进行利润分配。本次利润分配方案如下：截至2023年12月31日，公司总股本为435,707,409股，以总股本为基准，拟每10股派发现金红利6.27元（含税），共计派发现金红利273,188,545.44元（含税），本次利润分配现金分红金额占2023年合并报表归属于母公司股东净利润的30%。本次利润分配不送红股，不进行资本公积转增股本。如在本公告披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生增减变动的，公司维持分配总额不变，相应调整每股分配比例。如后续总股本发生变化，将另行公告具体调整情况。

　　公司主要从事对集成电路制造行业至关重要的半导体清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备、后道先进封装设备以及硅材料衬造工艺设备等的开发、制造和销售，并致力于为半导体制造商提供定制化、高性能、低消耗的工艺解决方案，有效提升客户多个步骤的生产效率、产品良率，并降低生产成本。

　　公司经过多年持续的研发投入和技术积累，先后开发了前道半导体工艺设备，包括清洗设备、半导体电镀设备、立式炉管系列设备、涂胶显影Track设备、等离子体增强化学气相沉积PECVD设备、无应力抛光设备；后道先进封装工艺设备以及硅材料衬造工艺设备等。

　　晶圆表面的兆声波能量与晶圆和兆声波发生器之间的距离呈现周期性的变化。在传统的兆声波清洗工艺中，不同工序后应力带来的晶圆翘曲，使得晶圆上不同点到兆声波发生器的距离不同，因此晶圆上不同位置的兆声波能量也不相同，无法实现兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。而且由于硬件位置控制的误差，也会造成兆声波能量在晶圆表面分布的不均匀。

　　公司自主研发的SAPS兆声波技术采用扇形兆声波发生器，通过精确匹配晶圆旋转速度、液膜厚度、兆声波发生器的位置、交变位移及能量等关键工艺参数，通过在工艺中控制兆声波发生器和晶圆之间的半波长范围的相对运动，使晶圆上每一点在工艺时间内接收到的兆声波能量都相同，从而很好的控制了兆声波能量在晶圆表面的均匀分布。

　　公司自主研发的TEBO清洗设备，可适用于28nm及以下的图形晶圆清洗，通过一系列快速（频率达到每秒一百万次）的压力变化，使得气泡在受控的温度下保持尺寸和形状振荡，将气泡控制在稳定震荡状态，而不会内爆，从而保持晶圆微结构不被破坏，对晶圆表面图形结构进行无损伤清洗。公司TEBO清洗设备，在器件结构从2D转换为3D的技术转移中，可应用于更为精细的具有3D结构的FinFET、DRAM和新兴3DNAND等产品，以及未来新型纳米器件和量子器件等，在提高客户产品良率方面发挥越来越重要的作用。

　　公司通过自主研发并具有全球知识产权保护的SAPS和TEBO兆声波清洗技术，解决了兆声波技术在集成电路单片清洗设备上应用时，兆声波能量如何在晶圆上均匀分布及如何实现图形结构无损伤的全球性难题。为实现产能最大化，公司单片清洗设备可根据客户需求配置多个工艺腔体，最高可单台配置18腔体，有效提升客户的生产效率。

　　随着技术节点推进，工艺温度要求在150摄氏度以上，甚至超过200摄氏度的SPM工艺步骤逐渐增加。高剂量离子注入后的光刻胶去除、无灰化步骤的纯湿法去胶工艺，以及特殊的金属膜层刻蚀或剥离，都对SPM的温度提出了更高的要求。公司的新型单片高温SPM设备使用独特的多级梯度加热系统来预热硫酸，然后将硫酸与过氧化氢混合以达到超高温。同时，公司的腔体支持配置其他多种化学品，并配备在线化学品混酸（CIM）系统，可用于动态设置工艺中的化学品配比及温度。该腔体配置还可支持更多的化学品和灵活的辅助清洗方案，比如公司独有的专利技术SAPS和TEBO兆声波技术。该设备可支持300mm晶圆单片SPM（硫酸和过氧化氢混合酸）工艺，可广泛应用于逻辑、DRAM和3D-NAND等集成电路制造中的湿法清洗和刻蚀工艺，尤其适合处理高剂量离子注入后的光刻胶（PR）去除工艺，以及金属刻蚀和剥离工艺。

　　公司自主研发的具有全球知识产权保护的Tahoe清洗设备在单个湿法清洗设备中集成了两个模块：槽式模块和单片模块。Tahoe清洗设备可被应用于光刻胶去除、刻蚀后清洗、离子注入后清洗和机械抛光后清洗等几十道关键清洗工艺中。Tahoe清洗设备的清洗效果与工艺适用性可与单片中低温SPM清洗设备相媲美。同时与单片清洗设备相比，还可大幅减少硫酸使用量，帮助客户降低生产成本又能更好符合国家节能减排政策。

　　公司研发的单片背面清洗设备采用伯努利卡盘，应用空气动力学悬浮原理，使用机械手将晶圆送入腔体后，使晶背朝上，晶圆正面朝下，在工艺过程中，精准流量控制的高纯氮气通过晶圆与卡具之间的空隙。同时，该设备还可精准控制晶圆边缘回刻宽度，做到zeroundercut控制。该设备可用于背面金属污染清洗及背面刻蚀等核心工艺。

　　该设备支持多种器件和工艺，包括3DNAND、DRAM和逻辑工艺，使用湿法刻蚀方法去除晶圆边缘的各种电介质、金属和有机材料薄膜，以及颗粒污染物。这种方法最大限度地减少了边缘污染对后续工艺步骤的影响，提高了芯片制造的良率，同时整合背面晶圆清洗的功能，进一步优化了工艺和产品结构。

　　采用单片腔体对晶圆正背面依工序清洗，可进行包括晶圆背面刷洗、晶圆边缘刷洗、正背面二流体清洗等清洗工序；设备占地面积小，产能高，稳定性强，多种清洗方式灵活可选。该设备可用于集成电路制造流程中前段至后段各道刷洗工艺。

　　公司开发的全自动槽式清洗设备广泛应用于集成电路领域和先进封装领域的清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺，采用纯水、碱性药液、酸性药液作为清洗剂，与喷淋、热浸、溢流和鼓泡等清洗方式组合，再配以常压IPA干燥技术及低压IPA干燥技术，能够同时清洗50片晶圆。该设备自动化程度高，设备稳定性好，清洗效率高，金属、材料及颗粒的交叉污染低。该设备主要应用于40nm及以上技术节点的几乎所有清洗工艺步骤。

　　公司自主开发针对28nm及以下技术节点的IC前道铜互连镀铜技术UltraECPmap。公司的多阳极局部电镀技术采用新型的电流控制方法，实现不同阳极之间毫秒级别的快速切换，可在超薄籽晶层上完成无空穴填充，同时通过对不同阳极的电流调整，在无空穴填充后实现更好的沉积铜膜厚的均匀性，可满足各种工艺的镀铜需求。

　　应用于填充3d硅通孔TSV和2.5D转接板的三维电镀设备UltraECP3d。基于盛美半导体电镀设备的平台，该设备可为高深宽比（深宽比大于10:1）铜应用提供高性能、无孔洞的镀铜功能。该设备为提高产能而设计了堆叠式腔体，能减少消耗品的使用，降低成本，节省设备使用面积。2023年该设备在客户端量产并继续取得批量重复订单，开发出针对20×200μm深的电镀工艺。

　　2022年UltraECPGIII新型化合物半导体电镀设备在客户实现量产，在深孔镀金工艺中表现优异，台阶覆盖率在同样工艺参数条件下优于竞争对手水平；同时公司在2023年开发了去镀金技术并实现模块销售。

　　公司研发的立式炉管设备主要包括低压化学气相沉积炉、氧化退火炉、合金炉和原子层沉积炉。报告期内，公司以UltraFn立式炉设备平台为基础结合之前推出的热原子层沉积炉管技术（UltraFnA），进一步研发了等离子原子层沉积立式炉UltraFnA。这款设备聚焦核心技术研发，力求满足高产能批式ALD工艺的高端要求，在能满足原子层沉积工艺的同时具备低累积膜厚气体清洗功能，保证颗粒的稳定性。

　　公司的前道涂胶显影UltraLithTMTrack设备是一款应用于300毫米前道集成电路制造工艺的设备，可提供均匀的下降气流、高速稳定的机械手以及强大的软件系统，从而满足客户的特定需求。该设备功能多样，能够降低产品缺陷率，提高产能，节约总体拥有成本（COO）。涂胶显影Track设备支持主流光刻机接口，支持包括i-line、KrF和ArF系统在内的各种光刻工艺，可确保满足工艺要求的同时，让晶圆在光刻设备中曝光前后的涂胶和显影步骤得到优化。

　　公司的等离子体增强化学气相沉积UltraPmaxTMPECVD设备配置自主知识产权的腔体、气体分配装置和卡盘设计，能够提供更好的薄膜均匀性、更优化的薄膜应力和更少的颗粒特性。

　　公司的无应力抛光设备将无应力抛光技术SFP(Stress-Free-Polish)与低下压力化学机械平坦化技术CMP相结合，集成创新了低k/超低k介电质铜互连平坦化Ultra-SFP抛光集成系统，集合二者优点，利用低下压力化学机械抛光先将铜互联结构中铜膜抛至150nm厚度，再采用无应力抛光SFP的智能抛光控制技术将抛光进行到阻挡层，最后采用公司自主开发的热气相刻蚀技术，将阻挡层去除。无应力抛光设备应用于铜低k/超低k互连结构有诸多优点：其一，依靠抛光自动停止原理，平坦化工艺后凹陷更均匀及精确可控；其二，工艺简单，采用环保的可以循环实用的电化学抛光液，没有抛光垫，研磨液等，耗材成本降低50%以上；对互联结构中金属层和介质层无划伤及机械损伤。

　　公司推出了6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线，以支持化合物半导体领域的工艺应用，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。

　　公司在半导体先进封装领域进行差异化开发，解决了在更大电镀液流量下实现平稳电镀的难题，2022年在高速电镀锡银方面也实现突破，在客户端成功量产。采用独创的第二阳极电场控制技术更好地控制晶圆平边或缺口区域的膜厚均匀性控制，实现高电流密度条件下的电镀，凸块产品的各项指标均满足客户要求。在针对高密度封装的电镀领域可以实现2μm超细RDL线的电镀以及包括铜、镍、锡、银和金在内的各种金属层电镀。自主开发的橡胶环密封专利技术可以实现更好的密封效果。2023年进一步获得国内头部先进封装客户订单；同时开发出针对chiplet助焊剂清洗的负压清洗设备取得多台订单；在新客户开发其他金属合金电镀工艺，并实现验收。

　　公司的升级版8/12寸兼容的涂胶设备，用于晶圆级封装领域的光刻胶和Polyimide涂布、软烤及边缘去除。涂胶腔内采用了公司特有的全方位无死角自动清洗技术，可缩短设备维护时间。涂胶腔内可兼容两种光刻胶类型。这款升级版涂胶设备对盛美原有的涂胶设备性能和外观都进行了优化升级，可实现热板抽屉式抽出，方便维修及更换，并且能精确复位，有效保障工序运行。

　　公司的UltraCdv显影设备可应用于晶圆级封装，是WLP光刻工艺中的步骤。设备可进行曝光后烘烤、显影和坚膜等关键步骤。设备具备灵活的喷嘴扫描系统，精准的药液流量和温度控制系统，更低的成本控制，技术领先，使用便捷。

　　公司的湿法刻蚀设备使用化学药液进行晶圆球下金属层（UBM）的刻蚀工艺。该设备具备领先的喷嘴扫描系统，可提供行业领先的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备专注安全性，并且拥有药液回收使用功能从而减少成本，刻蚀腔内可兼容至多三种刻蚀药液单独使用及回收，提高使用效率。

　　公司的UltraCpr湿法去胶设备设计高效、控制精确，提升了安全性，提高了WLP产能。该设备将湿法槽式浸洗与单片晶圆清洗相结合，单片腔可实现高压去胶及常压去胶，也可单独使用。去胶平台能够在灵活控制清洗的同时，最大限度地提高效率，也可与公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，以清除极厚或者极难去除的光刻胶涂层。

　　公司的湿法金属剥离（MetalLiftoff）设备基于公司已有的湿法去胶设备平台，将槽式去胶浸泡模块与单片清洗腔体串联起来依序使用，在去胶的同时进行金属剥离。该设备可以在不同单片清洗腔中分别配置去胶功能和清洗功能，并通过优化腔体结构，实现易拆卸、清洗与维护，以解决金属剥离工艺中残留物累积的问题。

　　公司拓展开发适用于先进封装3D硅通孔及2.5D转接板中金属铜层平坦化工艺应用，为了解决工艺成本高和晶圆翘曲大的难点，利用无应力抛光的电化学抛光原理，相对比传统化学机械平坦化CMP，没有研磨液、抛光头和抛光垫，仅使用可循环使用的电化学抛光液；并且不受铜层是否经过退火的影响，去除率稳定；通过与CMP工艺整合，先采用无应力抛光将晶圆铜膜减薄至小于0.5μm-0.2μm厚度，再退火处理，最后CMP工艺的解决方案，能够有效解决CMP工艺存在的技术和成本瓶颈。

　　公司已经研发出可以应用于带铁环晶圆（tape-framewafer）的湿法清洗设备，采用公司自主研发的chuck设计和腔体结构，可以支持不同尺寸铁环，可以用于清洗解键合工艺后的胶残留，清洗效果完全满足生产需求，提升工艺制程的良率。

　　聚合物清洗设备使用相关有机溶剂清洗干法刻蚀后的聚合物残留，主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺。聚合物清洗设备腔体可兼容两种有机溶剂，同时配备二流体清洗功能。聚合物清洗工艺过程中药液需要Dosing功能以保证清洗能力，该设备具有领先的Dosing功能，可根据工艺时间、药液使用时间和有机溶液浓度控制等灵活进行Dosing设定，保证清洗能力。

　　TSV清洗设备主要应用于2.5D/3D等先进封装工艺中，TSV工艺中孔内会有聚合物残留，可选择使用高温硫酸与双氧水混合液进行清洗。TSV清洗设备具有高效的温度控制能力，可控制Wafer表面清洗时温度在170℃高温。清洗后还可搭配公司专有的SAPS兆声波清洗设备一同使用，保证TSV孔内的清洗效果。

　　背面清洗/刻蚀设备可用于介质层清洗和刻蚀、以及常规硅刻蚀工艺。背洗和背刻设备可通过手臂翻转或者单独的翻转单元进行翻转，腔体使用伯努利原理通过氮气支撑Wafer进行工艺，在完美保护Wafer正面不受影响的情况下进行背面清洗和刻蚀工艺。

　　键合胶清洗设备主要用于2.5D/3D工艺中键合胶的去除，涉及到Wafer边缘键合胶去除及正面键合胶去除。设备配备单独的二流体EBR喷嘴，可用于去除Wafer边缘键合胶；正面只用3根二流体喷嘴，可搭配组合使用或单独使用，具有高效的去除效率；同时药液可进行回收以减少成本。

　　公司的CMP后清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬底的制造。这款设备在CMP步骤之后，使用稀释的化学药液对晶圆正背面及边缘进行刷洗及化学清洗，以控制晶圆的表面颗粒和金属污染，该设备也可以选配公司独有的兆声波清洗技术。并且这款设备有湿进干出（WIDO）和干进干出（DIDO）两种配置，可以选配2、4或6个腔体，以满足不同产能需求。

　　公司的FinalClean清洗设备用于高质量硅衬底及碳化硅衬造。这款设备在PreClean步骤之后，使用稀释的化学药液同时结合公司独有的兆声波清洗技术对晶圆正背面进行化学清洗，以控制晶圆表面颗粒和金属污染。该设备适用于6寸、8寸或12寸晶圆清洗，并且可以选配4腔体、8腔体或12腔体，以满足不同产能需求。

　　公司作为一家面向国际科技前沿、坚持自主创新的半导体专用设备企业，遵循全球行业惯例，主要从事技术和工艺研发、产品设计和制造，为客户提供设备和工艺解决方案。公司根据对产品的设计，组织零部件外购及外协，建立了完善的供应链体系，与核心供应商建立了密切的合作关系，根据公司的销售预测，提前部署下一年度的产能需求，提前做好产能安排及快速交付计划，保障了对重要零部件的供应。作为设备厂商，公司提供验证平台，通过设备厂商带动零部件技术攻关，实现对零部件企业的商业赋能。公司通过长期研发积累形成的技术优势，保持较高的产品毛利，进而保持较高比例的研发投入及市场开拓，在报告期内实现了较高的利润率。

　　公司主要采用自主研发的模式。公司研发部门以半导体专用设备国际技术动态、客户需求为导向，采用差异化竞争的策略，依靠具有丰富经验的国际化研发团队，研发新工艺、新技术，完成技术方案的验证，并在全球主要半导体生产国家及地区申请专利保护，把研发成果快速产业化，取得了一系列的技术创新和突破。此外，公司在韩国组建了专业的研发团队，结合中国上海以及韩国双方研发团队的各自优势，共同研发用于公司产品的差异化相关技术，提升公司产品性能。公司制定了《研发项目管理办法》，对研发项目的立项、审批、执行等流程进行了规定。公司将继续吸引国内外的优秀人才，扩大充实公司世界一流的研发团队，为全球客户不断地提供最好的工艺解决方案。

　　为保障公司产品质量和性能，公司建立了完善的采购体系，在报告期内进一步优化了供应链资源、供应商准入体系和零部件供应策略。持续要求供应商填写《供方调查表》，建立供应商档案，了解供应商的人员情况、生产能力、设计能力、财务情况、关键零部件供应商情况、生产和检测设备情况等，对供应商的产品技术与质量、按时交货能力和售后服务等进行综合评估，最终确定合格供应商，纳入合格供应商名单。报告期内，公司保持与主要供应商稳定的长期合作关系。

　　公司产品均为根据客户的差异化需求，进行定制化设计及生产制造，主要采取以销定产的生产模式，按客户订单组织生产。

　　公司根据市场预测或客户的非约束性预测，编制年度生产计划，并结合客户订单情况编制每月生产计划。公司研发设计工程师根据客户订单提供装配图纸，运用MES、WMS系统分发到仓库和生产车间，进行仓库领料、配料和装配，预装配并预检合格后，交由总装配车间进行各模块整体组装生产线组装，然后由测试部门进行各模块的功能测试，测试合格后，下线发货。公司对外协加工的质量严格把关，与外协厂商建立了多年稳定的合作关系，确保符合客户的差异化需求。

　　公司自设立以来，始终坚持全球化发展战略，客户主要位于中国大陆、中国台湾、韩国等国家和地区。公司的市场开拓策略为：首先开拓全球半导体龙头企业客户，通过长时间的研发和技术积累，取得其对公司技术和产品的认可，以树立公司的市场声誉。然后凭借在国际行业取得的业绩和声誉，持续开拓中国大陆等半导体行业新兴区域市场。经过多年的努力，公司已与海力士、华虹集团、长江存储、中芯国际、合肥长鑫等国内外半导体行业龙头企业形成了较为稳定的合作关系。

　　公司通过直销模式销售产品，不存在分销和经销模式。报告期内，公司通过委托代理商推广、与潜在客户商务谈判或通过招投标等方式获取订单。

　　近年来，受下游消费电子、物联网、工业互联、汽车电子等领域快速发展的影响，中国大陆再次掀起了晶圆产能建设的高潮，带动半导体设备投资大幅上升。KnometaResearch的报告指出，到2024年，在全球IC晶圆产能中，中国大陆的份额将达到19%，而这些新建的晶圆产能大多数是国内实体所为。晶圆产能的扩张促进了中国半导体产业专业人才的培养及配套行业的发展，半导体产业环境的良性发展为中国半导体专用设备制造业产业的扩张和升级提供了机遇。

　　半导体行业具有生产技术工序多、产品种类多、技术更新换代快、投资高风险大、下游应用广泛等特点，叠加下游新兴应用市场的不断涌现，半导体产业链从集成化到垂直化分工的趋势越来越明确。目前，中国大陆作为全球最大半导体终端产品消费市场，中国半导体产业的规模不断扩大，中国大陆半导体专用设备需求将不断增长。

　　半导体专用设备作为产业链中发挥着重要的基础性支撑作用，是核心技术与工艺的载体，在产业发展中发挥着重要的基础性支撑作用。半导体专用设备的技术复杂，客户对设备的技术参数、运行的稳定性有苛刻的要求，以保障生产效率、质量和良率。集成电路制造工艺的技术进步，反过来也会推动半导体专用设备企业不断追求技术革新。同时，集成电路行业的技术更新迭代也带来对于设备投资的持续性需求，而半导体专用设备的技术提升，也推动了集成电路行业的持续快速发展。

　　半导体专用设备行业为技术密集型行业，生产技术涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识的综合运用。半导体专用设备价值较高、技术复杂，对下游客户的产品质量和生产效率影响较大。半导体行业客户对半导体专用设备的质量、技术参数、稳定性等有严苛的要求，对新设备供应商的选择也较为慎重。一般选取行业内具有一定市场口碑和市占率的供应商，并对其设备开展周期较长的验证流程。因此，半导体专用设备企业在客户验证、开拓市场方面周期较长，难度较大。

　　（3）集成电路设备行业技术门槛高，公司的技术水平与国际巨头仍有差距，需加快技术研发与产业化进程。集成电路设备涉及微电子、电气、机械、材料、化学工程、流体力学、自动化、图像识别、通讯、软件系统等多学科、多领域知识综合运用及动态密封技术、超洁净室技术、微粒及污染分析技术等多种尖端制造技术。因此，集成电路设备具有技术含量高、制造难度大、设备价值高和行业门槛高等特点，被公认为工业界精密制造最高水平的代表之一。

　　全球半导体清洗设备市场高度集中，尤其在单片清洗设备领域，DNS、TEL、LAM与SEMES四家公司合计市场占有率达到90%以上，其中DNS市场份额最高，市场占有率在33%以上。本土12英寸晶圆厂清洗设备主要来自DNS、盛美、LAM、TEL。

　　目前，中国大陆能提供半导体清洗设备的企业较少，主要包括盛美上海、北方华创、芯源微及至纯科技。根据中银证券专题报告的历年累计数据统计显示，公司清洗设备的国内市占率为23%；而Gartner2022年数据显示，公司在全球单片清洗设备的市场份额已升至7.2%。除清洗设备外，公司亦积极扩大产品组合，在半导体电镀设备、半导体抛铜设备、先进封装湿法设备、立式炉管设备、前道涂胶显影（Track）设备、等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备等领域扩大布局。2022年中国大陆半导体专用设备制造五强企业中，公司位列其中。

　　为落实“十四五”数字经济发展规划，支撑新一代信息技术产业率先发展，中国大力发展半导体制造装备及工艺，对促进科技创新，提升产业链关键环节竞争力，加快制造业产业转型升级，加强引领性科技攻关，保障数字经济发展基础。

　　半导体产业具有“一代设备、一代工艺和一代产品”的特点，半导体产品制造要超前电子系统开发新一代工艺，而半导体设备要超前半导体产品制造开发新一代产品。因此，半导体设备企业需要不断提高技术研发能力，推动产品的迭代升级及新产品研发，持续优化产品布局。随着半导体技术的不断进步，半导体器件集成度不断提高。一方面，芯片工艺节点不断缩小，由12μm-0.35μm（1965年-1995年）到65nm-22nm（2005年-2015年），且还在向更领先的方向发展；另一方面半导体晶圆的尺寸却不断扩大，主流晶圆尺寸已经从4英寸、6英寸，发展到现阶段的8英寸、12英寸。此外，半导体器件的结构也趋于复杂。例如存储器领域的NAND闪存，根据国际半导体技术路线图预测，当工艺尺寸逐渐缩小，目前的Flash存储技术将会达到尺寸缩小的极限，存储器技术将从二维转向三维架构，进入3D时代。3DNAND制造工艺中，主要是将原来2DNAND中二维平面横向排列的串联存储单元改为垂直排列，通过增加立体层数，解决平面上难以微缩的工艺问题，堆叠层数也已经从32层、64层向128层及以上发展。这些对半导体专用设备的精密度与稳定性的要求越来越高，未来半导体专用设备将向高精密化与高集成化方向发展。

　　考虑到半导体芯片的应用极其广泛，不同应用领域对芯片的性能要求及技术参数要求差异较大，如手机使用的SoC逻辑芯片，往往需要使用12英寸晶圆，而对于工业、汽车电子、电力电子用途的芯片，仍在大量使用6英寸和8英寸晶圆及μm级工艺。不同技术等级的芯片需求大量并存，这也决定了不同技术等级的半导体专用设备均存在市场需求。未来随着半导体产业技术的持续发展，适用于12英寸晶圆以及更领先工艺的半导体专用设备需求将以更快的速度成长，但高、中、低各类技术等级的设备均有其对应的市场空间，短期内将持续并存发展。

　　4.1普通股股东总数、表决权恢复的优先股股东总数和持有特别表决权股份的股东总数及前10名股东情况

　　1公司应当根据重要性原则，披露报告期内公司经营情况的重大变化，以及报告期内发生的对公司经营情况有重大影响和预计未来会有重大影响的事项。

　　报告期内，公司实现营业收入38.88亿元，较上年同期增长35.34%；归属于上市公司股东的净利润为9.11亿元，较上年同期增长36.21%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为8.68亿元，较上年同期增长25.77%。

　　2公司年度报告披露后存在退市风险警示或终止上市情形的，应当披露导致退市风险警示或终止上市情形的原因。

　　本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

　　盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“公司”）于2024年2月27日召开第二届董事会第九次会议，审议通过了《关于续聘2024年度审计机构的议案》，公司拟续聘立信会计师事务所（特殊普通合伙）（以下简称“立信”）为公司2024年度审计机构。该议案尚需提交公司股东大会审议，现将相关事宜公告如下：

　　立信会计师事务所（特殊普通合伙）由我国会计泰斗潘序伦博士于1927年在上海创建，1986年复办，2010年成为全国首家完成改制的特殊普通合伙制会计师事务所，注册地址为上海市，首席合伙人为朱建弟先生。立信是国际会计网络BDO的成员所，长期从事证券服务业务，新证券法实施前具有证券、期货业务许可证，具有H股审计资格，并已向美国公众公司会计监督委员会（PCAOB）注册登记。

　　截至2023年末，立信拥有合伙人278名、注册会计师2,533名、从业人员总数10,730名，签署过证券服务业务审计报告的注册会计师693名。

　　立信2023年业务收入（未经审计）46.14亿元，其中审计业务收入34.08亿元，证券业务收入15.16亿元。

　　2023年度立信为671家上市公司提供年报审计服务，审计收费8.17亿元，同行业上市公司审计客户59家。

　　截至2023年末，立信已提取职业风险基金1.61亿元，购买的职业保险累计赔偿限额为12.50亿元，相关职业保险能够覆盖因审计失败导致的民事赔偿责任。

　　立信近三年因执业行为受到刑事处罚无、行政处罚1次、监督管理措施30次、自律监管措施1次和纪律处分无，涉及从业人员77名。

　　项目合伙人、签字注册会计师和质量控制复核人不存在违反《中国注册会计师职业道德守则》对独立性要求的情形。

　　公司2023年度的审计费用为人民币300万元，其中财务报告审计费用260万元、内部控制审计费用40万元。2024年审计费用定价原则主要基于专业服务所承担的责任和需投入专业技术的程度，综合考虑参与工作员工的经验和级别相应的收费率以及投入的工作时间等因素定价。

　　公司董事会提请股东大会授权公司管理层根据2024年公司实际业务情况和市场情况等与审计机构协商确定审计费用（包括财务报告审计费用和内部控制审计费用），并签署相关服务协议等事项。

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　　公司董事会审计委员会对立信会计师事务所（特殊普通合伙）的资质进行了严格审核。审计委员会认为其具有从事证券、期货相关业务的资格，没有违反独立性和诚信的情况。立信拥有优秀的执业团队和丰富的上市公司审计经验，能够为公司提供高质量的财务审计和内部控制审计服务，保障公司财务信息的真实、完整、准确和公允。公司董事会审计委员会一致同意将续聘立信会计师事务所（特殊普通合伙）为公司2024年度审计机构事项提交公司董事会审议。

　　公司董事会已于2024年2月27日召开第二届董事会第九次会议，审议并全票通过了《关于续聘2024年度审计机构的议案》。

　　本次续聘2024年度审计机构的事项尚需提交公司股东大会审议，并自公司股东大会审议通过之日起生效。

　　本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性依法承担法律责任。

　　根据中国证券监督管理委员会《上市公司监管指引第2号——上市公司募集资金管理和使用的监管要求（2022年修订）》（证监会公告［2022］15号）、《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》的相关规定，盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“本公司”）就2023年度募集资金存放与使用情况作如下专项报告：

　　经中国证券监督管理委员会《关于同意盛美半导体设备（上海）股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》（证监许可[2021]2689号）批准，公司向社会公开发行人民币普通股（A股）43,355,753股，发行价格为85.00元/股，募集资金总额为人民币3,685,239,005.00元，扣除承销商保荐及承销费用人民币173,832,028.54元，减除其他与发行权益性证券直接相关的外部费用人民币30,148,456.12元（包括：审计费及验资费12,467,000.00元、律师费10,904,467.37元、用于本次发行的信息披露费用4,575,471.70元、发行手续费及材料制作费等2,201,517.05元），募集资金净额为人民币3,481,258,520.34元。上述募集资金到位情况已经立信会计师事务所（特殊普通合伙）审验并出具信会师报字[2021]第ZI10561号《验资报告》。

　　为规范公司募集资金管理，保护中小投资者利益，公司已制定了《募集资金管理制度》，对募集资金的存放、使用以及监督等作出了具体明确的规定。报告期内，公司严格按照公司《募集资金管理制度》的规定管理和使用募集资金，募集资金的存放、使用、管理均不存在违反《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》等法规文件的规定以及公司《募集资金管理制度》等制度的情况。

　　2021年11月，公司和保荐机构海通证券股份有限公司分别与招商银行股份有限公司上海分行、中国光大银行股份有限公司上海昌里支行、中国银行股份有限公司上海市浦东开发区支行、上海银行股份有限公司浦东分行、招商银行股份有限公司上海陆家嘴支行、上海浦东发展银行股份有限公司黄浦支行、招商银行股份有限公司上海淮海支行、兴业银行股份有限公司上海市北支行、宁波银行股份有限公司上海长宁支行、中国工商银行股份有限公司上海自贸试验区新片区分行共同签订了《募集资金专户存储三方监管协议》，公司及全资子公司盛帷半导体设备（上海）有限公司和保荐机构海通证券股份有限公司与招商银行股份有限公司上海分行共同签订了《募集资金专户存储四方监管协议》。2022年10月，公司和保荐机构海通证券股份有限公司与上海浦东发展银行股份有限公司黄浦支行签订了《募集资金专户存储三方监管协议之补充协议》。上述监管协议明确了各方的权利和义务，协议主要条款与上海证券交易所《募集资金专户存储三方监管协议（范本）》不存在重大差异。其中中国银行股份有限公司上海市浦东开发区支行已于2023年5月15日、上海银行股份有限公司浦东分行已于2023年5月22日销户。截至2023年12月31日，其他上述监管协议履行正常。

　　注：定期账户为系统自动生成，依托于活期账户而存在，资金进出均需通过募集资金专户。募集资金专户存放余额与实际结余募集资金余额1,136,002,230.61元差异280,000,000.00元，系公司使用部分闲置募集资金进行现金管理尚未到期的金额，详见本专项报告三、（四）对闲置募集资金进行现金管理，投资相关产品情况。

　　本公司2023年度募集资金实际使用情况详见附表《募集资金使用情况对照表》。

　　截至2023年12月31日，本公司不存在用闲置募集资金暂时补充流动资金的情况。

　　本公司于2022年8月18日召开第一届董事会第二十次会议、第一届监事会第十七次会议，审议通过了《关于使用闲置募集资金进行现金管理的议案》，同意公司在保证不影响募集资金计划正常进行的前提下，使用最高不超过人民币20亿元的暂时闲置募集资金用于购买安全性高、流动性好、有保本约定的投资产品，使用期限自公司董事会、监事会审议通过之日起12个月内有效。在前述额度及期限范围内，公司可以循环滚动使用。具体内容详见公司于2022年8月20日在上海证券交易所网站披露的《关于使用闲置募集资金进行现金管理的公告》（公告编号：2022-023）。

　　本公司于2023年8月3日召开第二届董事会第五次会议、第二届监事会第五次会议，审议通过了《关于继续使用闲置募集资金进行现金管理的议案》，同意公司在保证不影响募集资金计划正常进行的前提下，使用最高不超过人民币15亿元的暂时闲置募集资金用于购买安全性高、流动性好、有保本约定的投资产品，使用期限自公司董事会、监事会审议通过之日起12个月内有效。在前述额度及期限范围内，公司可以循环滚动使用。具体内容详见公司于2023年8月5日在上海证券交易所网站披露的《关于继续使用闲置募集资金进行现金管理的公告》（公告编号：2023-033）。

　　截至2023年12月31日，公司使用部分闲置募集资金进行现金管理具体情况如下：

　　截至2023年12月31日，本公司不存在用超募资金永久补充流动资金或归还银行贷款情况。

　　本公司于2023年2月23日召开第二届董事会第三次会议、第二届监事会第三次会议，审议通过《关于使用部分超募资金向全资孙公司增资以实施新建项目的议案》，同意公司以超募资金人民币24,500.00万元（折合韩元约462.95亿，暂以董事会审议日汇率测算，具体外币金额以增资当日汇率为准）向全资孙公司ACMResearchKoreaCO.,LTD.（以下简称“盛美韩国”）增资以新建并实施“盛美韩国半导体设备研发与制造中心”项目，并同意通过技术许可的方式，将现有成熟技术授权于盛美韩国，应用到本项目的研发生产中。该议案于2023年3月29日经公司2023年第二次临时股东大会审议通过。具体内容详见公司于2023年2月25日在上海证券交易所网站披露的《关于使用部分超募资金向全资孙公司增资以实施新建项目的公告》（公告编号：2023-015）。

　　本公司于2023年10月26日召开第二届董事会第六次会议、第二届监事会第六次会议，审议通过了《关于使用超募资金增加募投项目投资额及调整募投项目实施进度的议案》，同意使用超募资金人民币50,000.00万元用于公司募集资金投资项目建设及调整募投项目实施进度。该议案于2023年11月28日经公司2023年第三次临时股东大会审议通过。具体内容详见公司于2023年10月28日在上海证券交易所网站披露的《关于使用超募资金增加募投项目投资额及调整募投项目实施进度的公告》（公告编号：2023-043）。

　　截至2023年12月31日，本公司不存在将募投项目节余资金用于其他募投项目或非募投项目的情况。

　　本公司于2023年8月3日召开了第二届董事会第五次会议、第二届监事会第五次会议，审议通过了《关于通过开设募集资金保证金账户的方式开具银行承兑汇票、信用证或保函支付募投项目款项的议案》，同意公司通过开设募集资金保证金账户的方式开具银行承兑汇票、信用证或保函，用以支付募投项目中涉及的部分材料、设备、工程等款项。具体内容详见公司于2023年8月5日在上海证券交易所网站披露的《关于通过开设募集资金保证金账户的方式开具银行承兑汇票、信用证或保函支付募投项目款项的公告》（公告编号：2023-034）。

　　本公司于2023年8月3日分别召开第二届董事会第五次会议和第二届监事会第五次会议，审议通过了《关于调整募集资金投资项目内部结构的议案》，同意公司在募投项目实施主体、募集资金投资用途及投资总额不变的情况下，调整募集资金投资项目“高端半导体设备拓展研发项目”的内部投资结构。具体内容详见公司于2023年8月5日在上海证券交易所网站披露的《关于调整募集资金投资项目内部结构的公告》（公告编号：2023-035）。

　　本公司已披露的相关信息不存在不及时、不真实、不准确、不完整披露的情况。已使用的募集资金均投向所承诺的募集资金投资项目，不存在违规使用募集资金的情形。

　　六、会计师事务所对公司年度募集资金存放与使用情况出具的鉴证报告的结论性意见

　　立信会计师事务所（特殊普通合伙）认为：公司2023年度募集资金存放与使用情况专项报告在所有重大方面按照中国证券监督管理委员会《上市公司监管指引第2号—上市公司募集资金管理和使用的监管要求（2022年修订）》（证监会公告［2022］15号）、《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》的相关规定编制，如实反映了贵公司2023年度募集资金存放与使用情况。

　　七、保荐机构对公司年度募集资金存放与使用情况所出具专项核查报告的结论性意见

　　经核查，保荐机构认为：公司2023年度募集资金的存放与使用符合《证券发行上市保荐业务管理办法》《上市公司监管指引第2号——上市公司募集资金管理和使用的监管要求》《上海证券交易所科创板股票上市规则》《上海证券交易所科创板上市公司自律监管指引第1号——规范运作》等相关规定及公司募集资金管理制度，对募集资金进行了专户存储和使用，截至2023年12月31日，盛美上海不存在变相改变募集资金用途和损害股东利益的情形，不存在违规使用募集资金的情形，发行人募集资金使用不存在违反国家反洗钱相关法律法规的情形。保荐机构对盛美上海2023年度募集资金存放与使用情况无异议。

　　注1：“募集资金总额”是指扣除保荐承销费及其他发行费用后的金额人民币3,481,258,520.34元。

　　注2：“截至期末承诺投入金额”以最近一次已披露募集资金投资计划为依据确定。

　　注3：盛美半导体高端半导体设备研发项目：实际投资金额超过承诺投资金额系累计收到的银行存款利息扣除银行手续费的净额投入募投项目所致。

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